芯科普 | 一文了解DDR3/DDR4/LPDDR4的接口差异

DDR3/DDR4/LPDDR4三者的不同点从外部来看主要是通过不同的接口来实现。因此我们从接口实现上来看这三者之间的差异。

DDR3的接口为SSTL(Stub Series Terminated Logic)，匹配电阻上拉到VDDQ/2。

DDR4匹配电阻上拉到VDDQ，可称为POD(Pseudo Open Drain)，用以减少IO电流消耗。对DDR4的POD来说，drive High(logic level ”1” )几乎不耗电，可以用这特点搭配DBI(Data bus inversion)来降低功耗。当一个字节里的 ”0” bits比 ”1” bits多时，可以使能DBI，将整个字节的“0”和“1”反转，这样 “1” bits就会比“0” bits多，达到省电的效果。

LPDDR4的匹配电阻下拉到VSSQ, 称为LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic), 这样可以更省电，LPDDR4靠NMOS 晶体管pull up，也可以工作在更低的电压。

从上述DDR3到LPDDR4接口设计的演变的呈现，其目的主要是是为了满足产品对低功耗的要求，因此其工作电压也变得越来越低。